STP10NM65N
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Freet e Zitat
| Part Number | STP10NM65N |
|---|---|
| Hiersteller | STMicroelectronics |
| Beschreiwung | MOSFET N-CH 650V 9A TO-220 |
| Bleif Free Status / RoHS Status | Bleif gratis / RoHS kompatibel |
| Referenz Präis (an US Dollars) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenlabel
Product parameter
| Part Number | STP10NM65N | Hiersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreiwung | MOSFET N-CH 650V 9A TO-220 | Bleif Free Status / RoHS Status | Bleif gratis / RoHS kompatibel |
| Quantitéit Verfügt | 5486 pcs | Datenlabel | STx10NM65N |
| Kategorie | Diskrete Semiconductor Products | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device Package | TO-220AB | Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4.5A, 10V | Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Verpakung | Tube | Package / Case | TO-220-3 |
| Aner Names | 497-7499-5 STP10NM65N-ND |
Operatioun Temperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Feuchtigkeit Sensibilitéitniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleif Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V | FET Typ | N-Channel |
| FET Feature | - | Fuert Volt (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Entworf fir Source Voltage (Vdss) | 650V | Detailbeschreiwung | N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Aktuell - Kontinuéierter Drain (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
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